STMicroelectronics STripFET H7 N-Channel MOSFET, 110 A, 100 V, 8-Pin PowerFLAT 5 x 6 STL110N10F7
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
STMicroelectronicsChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
110 A
Maximum Drain Source Voltage
100 V
Series
STripFET H7
Package Type
PowerFLAT 5 x 6
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
8
Maximum Drain Source Resistance
6 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
5 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Maximum Operating Temperature
+175 °C
Number of Elements per Chip
1
Length
5.4mm
Typical Gate Charge @ Vgs
60 nC @ 10 V
Width
6.35mm
Transistor Material
Si
Height
0.95mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Tuotetiedot
N-Channel STripFET™ H7 Series, STMicroelectronics
STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
€ 14,50
€ 2,90 kpl (toimitus teipissä) (ilman ALV)
€ 18,20
€ 3,64 kpl (toimitus teipissä) (Sis ALV:n)
Standardi
5
€ 14,50
€ 2,90 kpl (toimitus teipissä) (ilman ALV)
€ 18,20
€ 3,64 kpl (toimitus teipissä) (Sis ALV:n)
Standardi
5
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Tarkista myöhemmin uudelleen.
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
STMicroelectronicsChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
110 A
Maximum Drain Source Voltage
100 V
Series
STripFET H7
Package Type
PowerFLAT 5 x 6
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
8
Maximum Drain Source Resistance
6 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
5 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Maximum Operating Temperature
+175 °C
Number of Elements per Chip
1
Length
5.4mm
Typical Gate Charge @ Vgs
60 nC @ 10 V
Width
6.35mm
Transistor Material
Si
Height
0.95mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Tuotetiedot
N-Channel STripFET™ H7 Series, STMicroelectronics
STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.