N-Channel MOSFET Transistor, 15 A, 600 V, 5-Pin PowerFLAT 8 x 8 HV STMicroelectronics STL26N60DM6
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
STMicroelectronicsChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
15 A
Maximum Drain Source Voltage
600 V
Package Type
PowerFLAT 8 x 8 HV
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
5
Maximum Drain Source Resistance
215 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4.75V
Minimum Gate Threshold Voltage
3.25V
Maximum Power Dissipation
110 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±25 V
Width
8.1mm
Number of Elements per Chip
1
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Length
8.1mm
Typical Gate Charge @ Vgs
24 nC @ 10 V
Height
0.9mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.6V
Alkuperämaa
China
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Tarkista myöhemmin uudelleen.
€ 2,10
1 kpl (5 kpl/pakkaus) (ilman ALV)
€ 2,636
1 kpl (5 kpl/pakkaus) (Sis ALV:n)
Standardi
5
€ 2,10
1 kpl (5 kpl/pakkaus) (ilman ALV)
€ 2,636
1 kpl (5 kpl/pakkaus) (Sis ALV:n)
Standardi
5
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
STMicroelectronicsChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
15 A
Maximum Drain Source Voltage
600 V
Package Type
PowerFLAT 8 x 8 HV
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
5
Maximum Drain Source Resistance
215 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4.75V
Minimum Gate Threshold Voltage
3.25V
Maximum Power Dissipation
110 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±25 V
Width
8.1mm
Number of Elements per Chip
1
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Length
8.1mm
Typical Gate Charge @ Vgs
24 nC @ 10 V
Height
0.9mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.6V
Alkuperämaa
China
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.