STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH N-Channel MOSFET, 250 mA, 800 V, 3-Pin SOT-223 STN1NK80Z

RS tilauskoodi: 714-1076PTuotemerkki: STMicroelectronicsValmistajan osanumero.: STN1NK80Z
brand-logo
Näytä kaikki MOSFETs tuotteet

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

250 mA

Maximum Drain Source Voltage

800 V

Package Type

SOT-223

Series

MDmesh, SuperMESH

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

16 Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

4.5V

Minimum Gate Threshold Voltage

3V

Maximum Power Dissipation

2.5 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-30 V, +30 V

Transistor Material

Si

Number of Elements per Chip

1

Length

6.5mm

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Typical Gate Charge @ Vgs

7.7 nC @ 10 V

Width

3.5mm

Height

1.8mm

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Tuotetiedot

N-Channel MDmesh™ SuperMESH™, 700V to 1200V, STMicroelectronics

MOSFET Transistors, STMicroelectronics

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

€ 1,99

€ 0,199 kpl (toimitus kelassa) (ilman ALV)

€ 2,50

€ 0,25 kpl (toimitus kelassa) (Sis ALV:n)

STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH N-Channel MOSFET, 250 mA, 800 V, 3-Pin SOT-223 STN1NK80Z
Valitse pakkaustyyppi

€ 1,99

€ 0,199 kpl (toimitus kelassa) (ilman ALV)

€ 2,50

€ 0,25 kpl (toimitus kelassa) (Sis ALV:n)

STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH N-Channel MOSFET, 250 mA, 800 V, 3-Pin SOT-223 STN1NK80Z
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Valitse pakkaustyyppi

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

Tarkista myöhemmin uudelleen.

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

250 mA

Maximum Drain Source Voltage

800 V

Package Type

SOT-223

Series

MDmesh, SuperMESH

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

16 Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

4.5V

Minimum Gate Threshold Voltage

3V

Maximum Power Dissipation

2.5 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-30 V, +30 V

Transistor Material

Si

Number of Elements per Chip

1

Length

6.5mm

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Typical Gate Charge @ Vgs

7.7 nC @ 10 V

Width

3.5mm

Height

1.8mm

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Tuotetiedot

N-Channel MDmesh™ SuperMESH™, 700V to 1200V, STMicroelectronics

MOSFET Transistors, STMicroelectronics

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja