STMicroelectronics STripFET II N-Channel MOSFET, 120 A, 75 V, 3-Pin TO-220 STP140NF75

RS tilauskoodi: 687-5302PTuotemerkki: STMicroelectronicsValmistajan osanumero.: STP140NF75
brand-logo
Näytä kaikki MOSFETs tuotteet

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

STMicroelectronics

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

120 A

Maximum Drain Source Voltage

75 V

Series

STripFET II

Package Type

TO-220

Mounting Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

8 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

4V

Minimum Gate Threshold Voltage

2V

Maximum Power Dissipation

310 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Width

4.6mm

Transistor Material

Si

Number of Elements per Chip

1

Typical Gate Charge @ Vgs

160 nC @ 10 V

Length

10.4mm

Maximum Operating Temperature

+175 °C

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Height

9.15mm

Tuotetiedot

N-Channel STripFET™ II, STMicroelectronics

STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.

MOSFET Transistors, STMicroelectronics

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

€ 7,30

€ 3,65 kpl (toimitus putkessa) (ilman ALV)

€ 9,16

€ 4,581 kpl (toimitus putkessa) (Sis ALV:n)

STMicroelectronics STripFET II N-Channel MOSFET, 120 A, 75 V, 3-Pin TO-220 STP140NF75
Valitse pakkaustyyppi

Tuotantopakkaus (Putki)

Valitse pakkaustyyppi

Standardi - each

Pakkauskoko 2.

Tuotanto -

Pakkauskoko 2.

Suositellaan tilattaessa suuria määriä. Tuotteet on pakattu valmiiksi koneisiin asennettaviksi, jolloin voit parantaa tuotannon tehokkuutta.

2

Pakkauskoko 2
2€ 7,30
4€ 14,60
6€ 21,90
8€ 29,20
10€ 36,50
12€ 43,80
14€ 51,10
16€ 58,40
18€ 65,70
20€ 73,00
22€ 80,30
24€ 87,60
26€ 94,90
28€ 102,20
30€ 109,50

€ 7,30

€ 3,65 kpl (toimitus putkessa) (ilman ALV)

€ 9,16

€ 4,581 kpl (toimitus putkessa) (Sis ALV:n)

STMicroelectronics STripFET II N-Channel MOSFET, 120 A, 75 V, 3-Pin TO-220 STP140NF75
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Valitse pakkaustyyppi

Tuotantopakkaus (Putki)

Valitse pakkaustyyppi

Standardi - each

Pakkauskoko 2.

Tuotanto -

Pakkauskoko 2.

Suositellaan tilattaessa suuria määriä. Tuotteet on pakattu valmiiksi koneisiin asennettaviksi, jolloin voit parantaa tuotannon tehokkuutta.

2

Pakkauskoko 2
2€ 7,30
4€ 14,60
6€ 21,90
8€ 29,20
10€ 36,50
12€ 43,80
14€ 51,10
16€ 58,40
18€ 65,70
20€ 73,00
22€ 80,30
24€ 87,60
26€ 94,90
28€ 102,20
30€ 109,50

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

Tarkista myöhemmin uudelleen.

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

STMicroelectronics

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

120 A

Maximum Drain Source Voltage

75 V

Series

STripFET II

Package Type

TO-220

Mounting Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

8 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

4V

Minimum Gate Threshold Voltage

2V

Maximum Power Dissipation

310 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Width

4.6mm

Transistor Material

Si

Number of Elements per Chip

1

Typical Gate Charge @ Vgs

160 nC @ 10 V

Length

10.4mm

Maximum Operating Temperature

+175 °C

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Height

9.15mm

Tuotetiedot

N-Channel STripFET™ II, STMicroelectronics

STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.

MOSFET Transistors, STMicroelectronics

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja