SiC N-Channel MOSFET Module, 52 A, 600 V Depletion, 3-Pin TO-247 STMicroelectronics STWA67N60M6
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
STMicroelectronicsChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
52 A
Maximum Drain Source Voltage
600 V
Package Type
TO-247
Series
ST
Mounting Type
Through Hole
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
0.045 Ω
Channel Mode
Depletion
Maximum Gate Threshold Voltage
4.75V
Transistor Material
SiC
Number of Elements per Chip
1
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Tarkista myöhemmin uudelleen.
€ 5,70
1 kpl (30 kpl/putki) (ilman ALV)
€ 7,154
1 kpl (30 kpl/putki) (Sis ALV:n)
30
€ 5,70
1 kpl (30 kpl/putki) (ilman ALV)
€ 7,154
1 kpl (30 kpl/putki) (Sis ALV:n)
30
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
STMicroelectronicsChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
52 A
Maximum Drain Source Voltage
600 V
Package Type
TO-247
Series
ST
Mounting Type
Through Hole
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
0.045 Ω
Channel Mode
Depletion
Maximum Gate Threshold Voltage
4.75V
Transistor Material
SiC
Number of Elements per Chip
1
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.