Silicon MOSFET, 30 A, 60 V, 8-Pin PDFN56 Taiwan Semi TSM250NB06DCR
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
Taiwan SemiconductorMaximum Continuous Drain Current
30 A
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Series
TSM025
Package Type
PDFN56
Pin Count
8
Maximum Drain Source Resistance
25 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Transistor Material
Silicon
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Tarkista myöhemmin uudelleen.
€ 2 625,00
€ 1,05 1 kpl (2500 kpl/kela) (ilman ALV)
€ 3 294,38
€ 1,318 1 kpl (2500 kpl/kela) (Sis ALV:n)
2500
€ 2 625,00
€ 1,05 1 kpl (2500 kpl/kela) (ilman ALV)
€ 3 294,38
€ 1,318 1 kpl (2500 kpl/kela) (Sis ALV:n)
2500
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
Taiwan SemiconductorMaximum Continuous Drain Current
30 A
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Series
TSM025
Package Type
PDFN56
Pin Count
8
Maximum Drain Source Resistance
25 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Transistor Material
Silicon
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.