N-Channel MOSFET, 73 A, 30 V, 8-Pin VSONP Texas Instruments CSD17307Q5A

RS tilauskoodi: 827-4833Tuotemerkki: Texas InstrumentsValmistajan osanumero.: CSD17307Q5A
brand-logo
Näytä kaikki MOSFETs tuotteet

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

73 A

Maximum Drain Source Voltage

30 V

Series

NexFET

Package Type

VSONP

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance

17.3 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

1.8V

Minimum Gate Threshold Voltage

0.9V

Maximum Power Dissipation

3 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-8 V, +10 V

Number of Elements per Chip

1

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Length

5.8mm

Typical Gate Charge @ Vgs

4 nC @ 4.5 V

Width

5mm

Transistor Material

Si

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Height

1.1mm

Tuotetiedot

N-Channel NexFET™ Power MOSFET, Texas Instruments

MOSFET Transistors, Texas Instruments

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

Tarkista myöhemmin uudelleen.

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

€ 0,653

1 kpl (10 kpl/pakkaus) (ilman ALV)

€ 0,82

1 kpl (10 kpl/pakkaus) (Sis ALV:n)

N-Channel MOSFET, 73 A, 30 V, 8-Pin VSONP Texas Instruments CSD17307Q5A
Valitse pakkaustyyppi

€ 0,653

1 kpl (10 kpl/pakkaus) (ilman ALV)

€ 0,82

1 kpl (10 kpl/pakkaus) (Sis ALV:n)

N-Channel MOSFET, 73 A, 30 V, 8-Pin VSONP Texas Instruments CSD17307Q5A
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Valitse pakkaustyyppi

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

73 A

Maximum Drain Source Voltage

30 V

Series

NexFET

Package Type

VSONP

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance

17.3 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

1.8V

Minimum Gate Threshold Voltage

0.9V

Maximum Power Dissipation

3 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-8 V, +10 V

Number of Elements per Chip

1

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Length

5.8mm

Typical Gate Charge @ Vgs

4 nC @ 4.5 V

Width

5mm

Transistor Material

Si

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Height

1.1mm

Tuotetiedot

N-Channel NexFET™ Power MOSFET, Texas Instruments

MOSFET Transistors, Texas Instruments

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja