Toshiba N-Channel MOSFET, 4.2 A, 20 V, 6-Pin UF6 SSM6K403TU

RS tilauskoodi: 171-2405Tuotemerkki: ToshibaValmistajan osanumero.: SSM6K403TU
brand-logo
Näytä kaikki MOSFETs tuotteet

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

Toshiba

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

4.2 A

Maximum Drain Source Voltage

20 V

Package Type

UF6

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

6

Maximum Drain Source Resistance

66 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

1V

Minimum Gate Threshold Voltage

0.35V

Maximum Power Dissipation

500 mW

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

±10 V

Number of Elements per Chip

1

Width

2mm

Length

1.7mm

Typical Gate Charge @ Vgs

16.8 nC @ 4 V

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Height

0.7mm

Alkuperämaa

Thailand

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

€ 618,00

€ 0,206 1 kpl (3000 kpl/kela) (ilman ALV)

€ 775,59

€ 0,259 1 kpl (3000 kpl/kela) (Sis ALV:n)

Toshiba N-Channel MOSFET, 4.2 A, 20 V, 6-Pin UF6 SSM6K403TU

€ 618,00

€ 0,206 1 kpl (3000 kpl/kela) (ilman ALV)

€ 775,59

€ 0,259 1 kpl (3000 kpl/kela) (Sis ALV:n)

Toshiba N-Channel MOSFET, 4.2 A, 20 V, 6-Pin UF6 SSM6K403TU
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

Tarkista myöhemmin uudelleen.

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

Toshiba

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

4.2 A

Maximum Drain Source Voltage

20 V

Package Type

UF6

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

6

Maximum Drain Source Resistance

66 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

1V

Minimum Gate Threshold Voltage

0.35V

Maximum Power Dissipation

500 mW

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

±10 V

Number of Elements per Chip

1

Width

2mm

Length

1.7mm

Typical Gate Charge @ Vgs

16.8 nC @ 4 V

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Height

0.7mm

Alkuperämaa

Thailand

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja