Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
ToshibaMaximum Continuous Drain Current
100 A
Maximum Drain Source Voltage
100 V
Package Type
TO-220SIS
Maximum Drain Source Resistance
3,8 mΩ
Maximum Power Dissipation
45 W
Maximum Gate Source Voltage
±20 V
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Typical Gate Charge @ Vgs
140 nC při 10 V
Alkuperämaa
China
Tuotetiedot
MOSFET Transistors, Toshiba
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Tarkista myöhemmin uudelleen.
€ 3,50
kpl (toimitus pussissa) (ilman ALV)
€ 4,34
kpl (toimitus pussissa) (Sis ALV:n)
2
€ 3,50
kpl (toimitus pussissa) (ilman ALV)
€ 4,34
kpl (toimitus pussissa) (Sis ALV:n)
2
Osta irtotavarana
Määrä | Yksikköhinta | Per Pussi |
---|---|---|
2 - 18 | € 3,50 | € 7,00 |
20 - 38 | € 3,10 | € 6,20 |
40 - 98 | € 2,70 | € 5,40 |
100 - 498 | € 2,55 | € 5,10 |
500+ | € 2,40 | € 4,80 |
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
ToshibaMaximum Continuous Drain Current
100 A
Maximum Drain Source Voltage
100 V
Package Type
TO-220SIS
Maximum Drain Source Resistance
3,8 mΩ
Maximum Power Dissipation
45 W
Maximum Gate Source Voltage
±20 V
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Typical Gate Charge @ Vgs
140 nC při 10 V
Alkuperämaa
China
Tuotetiedot