N-Channel MOSFET, 13.7 A, 650 V, 3-Pin D2PAK Toshiba TK14G65W,RQ(S
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
ToshibaChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
13.7 A
Maximum Drain Source Voltage
650 V
Series
DTMOSIV
Package Type
D2PAK (TO-263)
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
250 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
3.5V
Minimum Gate Threshold Voltage
2.5V
Maximum Power Dissipation
130 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-30 V, +30 V
Width
8.8mm
Number of Elements per Chip
1
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Transistor Material
Si
Length
10.35mm
Typical Gate Charge @ Vgs
35 nC @ 10 V
Height
4.46mm
Forward Diode Voltage
1.7V
Alkuperämaa
Japan
Tuotetiedot
MOSFET Transistors, Toshiba
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Tarkista myöhemmin uudelleen.
€ 11,25
€ 2,25 1 kpl (5 kpl/pakkaus) (ilman ALV)
€ 14,12
€ 2,824 1 kpl (5 kpl/pakkaus) (Sis ALV:n)
5
€ 11,25
€ 2,25 1 kpl (5 kpl/pakkaus) (ilman ALV)
€ 14,12
€ 2,824 1 kpl (5 kpl/pakkaus) (Sis ALV:n)
5
Osta irtotavarana
| Määrä | Yksikköhinta | Per Pakkaus |
|---|---|---|
| 5 - 20 | € 2,25 | € 11,25 |
| 25 - 45 | € 1,95 | € 9,75 |
| 50 - 245 | € 1,85 | € 9,25 |
| 250 - 495 | € 1,80 | € 9,00 |
| 500+ | € 1,75 | € 8,75 |
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
ToshibaChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
13.7 A
Maximum Drain Source Voltage
650 V
Series
DTMOSIV
Package Type
D2PAK (TO-263)
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
250 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
3.5V
Minimum Gate Threshold Voltage
2.5V
Maximum Power Dissipation
130 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-30 V, +30 V
Width
8.8mm
Number of Elements per Chip
1
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Transistor Material
Si
Length
10.35mm
Typical Gate Charge @ Vgs
35 nC @ 10 V
Height
4.46mm
Forward Diode Voltage
1.7V
Alkuperämaa
Japan
Tuotetiedot
MOSFET Transistors, Toshiba
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.