P-Channel MOSFET, 30 A, 40 V, 4-Pin PowerPAK SO-8L Vishay Siliconix SQJ415EP-T1_GE3

RS tilauskoodi: 178-3717Tuotemerkki: Vishay SiliconixValmistajan osanumero.: SQJ415EP-T1_GE3
brand-logo
Näytä kaikki MOSFETs tuotteet

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

Vishay Siliconix

Channel Type

P

Maximum Continuous Drain Current

30 A

Maximum Drain Source Voltage

40 V

Series

TrenchFET

Package Type

PowerPAK SO-8L

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

4

Maximum Drain Source Resistance

20 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

2.5V

Minimum Gate Threshold Voltage

1.5V

Maximum Power Dissipation

45 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

±20 V

Width

5mm

Number of Elements per Chip

1

Maximum Operating Temperature

+175 °C

Transistor Material

Si

Length

5.99mm

Typical Gate Charge @ Vgs

63 nC @ 10 V

Height

1.07mm

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Forward Diode Voltage

1.2V

Automotive Standard

AEC-Q101

Alkuperämaa

China

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

Tarkista myöhemmin uudelleen.

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

€ 1 311,00

€ 0,437 1 kpl (3000 kpl/kela) (ilman ALV)

€ 1 645,30

€ 0,548 1 kpl (3000 kpl/kela) (Sis ALV:n)

P-Channel MOSFET, 30 A, 40 V, 4-Pin PowerPAK SO-8L Vishay Siliconix SQJ415EP-T1_GE3

3000

Pakkauskoko 3000
3000€ 1 311,00
6000€ 2 622,00
9000€ 3 933,00
12000€ 5 244,00
15000€ 6 555,00
18000€ 7 866,00
21000€ 9 177,00
24000€ 10 488,00
27000€ 11 799,00
30000€ 13 110,00
33000€ 14 421,00
36000€ 15 732,00
39000€ 17 043,00
42000€ 18 354,00
45000€ 19 665,00

€ 1 311,00

€ 0,437 1 kpl (3000 kpl/kela) (ilman ALV)

€ 1 645,30

€ 0,548 1 kpl (3000 kpl/kela) (Sis ALV:n)

P-Channel MOSFET, 30 A, 40 V, 4-Pin PowerPAK SO-8L Vishay Siliconix SQJ415EP-T1_GE3
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

3000

Pakkauskoko 3000
3000€ 1 311,00
6000€ 2 622,00
9000€ 3 933,00
12000€ 5 244,00
15000€ 6 555,00
18000€ 7 866,00
21000€ 9 177,00
24000€ 10 488,00
27000€ 11 799,00
30000€ 13 110,00
33000€ 14 421,00
36000€ 15 732,00
39000€ 17 043,00
42000€ 18 354,00
45000€ 19 665,00

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

Vishay Siliconix

Channel Type

P

Maximum Continuous Drain Current

30 A

Maximum Drain Source Voltage

40 V

Series

TrenchFET

Package Type

PowerPAK SO-8L

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

4

Maximum Drain Source Resistance

20 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

2.5V

Minimum Gate Threshold Voltage

1.5V

Maximum Power Dissipation

45 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

±20 V

Width

5mm

Number of Elements per Chip

1

Maximum Operating Temperature

+175 °C

Transistor Material

Si

Length

5.99mm

Typical Gate Charge @ Vgs

63 nC @ 10 V

Height

1.07mm

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Forward Diode Voltage

1.2V

Automotive Standard

AEC-Q101

Alkuperämaa

China

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja