N-Channel MOSFET, 11.1 A, 100 V, 8-Pin SOIC Vishay SI4056DY-T1-GE3
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
VishayChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
11.1 A
Maximum Drain Source Voltage
100 V
Series
ThunderFET
Package Type
SOIC
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
8
Maximum Drain Source Resistance
31 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage
1.5V
Maximum Power Dissipation
5.7 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Number of Elements per Chip
1
Transistor Material
Si
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Length
5mm
Typical Gate Charge @ Vgs
19.6 nC @ 10 V
Width
4mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Height
1.5mm
Tuotetiedot
N-Channel MOSFET, Medium Voltage/ThunderFET®, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Tarkista myöhemmin uudelleen.
€ 5,75
€ 1,15 1 kpl (5 kpl/pakkaus) (ilman ALV)
€ 7,22
€ 1,443 1 kpl (5 kpl/pakkaus) (Sis ALV:n)
Standardi
5
€ 5,75
€ 1,15 1 kpl (5 kpl/pakkaus) (ilman ALV)
€ 7,22
€ 1,443 1 kpl (5 kpl/pakkaus) (Sis ALV:n)
Standardi
5
Osta irtotavarana
| Määrä | Yksikköhinta | Per Pakkaus |
|---|---|---|
| 5 - 45 | € 1,15 | € 5,75 |
| 50 - 245 | € 0,987 | € 4,94 |
| 250 - 495 | € 0,814 | € 4,07 |
| 500 - 1245 | € 0,766 | € 3,83 |
| 1250+ | € 0,723 | € 3,62 |
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
VishayChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
11.1 A
Maximum Drain Source Voltage
100 V
Series
ThunderFET
Package Type
SOIC
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
8
Maximum Drain Source Resistance
31 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage
1.5V
Maximum Power Dissipation
5.7 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Number of Elements per Chip
1
Transistor Material
Si
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Length
5mm
Typical Gate Charge @ Vgs
19.6 nC @ 10 V
Width
4mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Height
1.5mm
Tuotetiedot
N-Channel MOSFET, Medium Voltage/ThunderFET®, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.