Vishay ThunderFET N-Channel MOSFET, 20 A, 100 V, 8-Pin SOIC SI4090DY-T1-GE3
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
VishayChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
20 A
Maximum Drain Source Voltage
100 V
Series
ThunderFET
Package Type
SOIC
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
8
Maximum Drain Source Resistance
12 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
7.8 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Width
4mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Length
5mm
Typical Gate Charge @ Vgs
45.6 nC @ 10 V
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Height
1.5mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Alkuperämaa
Taiwan, Province Of China
Tuotetiedot
N-Channel MOSFET, Medium Voltage/ThunderFET®, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
€ 1 680,00
€ 0,672 1 kpl (2500 kpl/kela) (ilman ALV)
€ 2 108,40
€ 0,843 1 kpl (2500 kpl/kela) (Sis ALV:n)
2500
€ 1 680,00
€ 0,672 1 kpl (2500 kpl/kela) (ilman ALV)
€ 2 108,40
€ 0,843 1 kpl (2500 kpl/kela) (Sis ALV:n)
2500
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Tarkista myöhemmin uudelleen.
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
VishayChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
20 A
Maximum Drain Source Voltage
100 V
Series
ThunderFET
Package Type
SOIC
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
8
Maximum Drain Source Resistance
12 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
7.8 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Width
4mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Length
5mm
Typical Gate Charge @ Vgs
45.6 nC @ 10 V
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Height
1.5mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Alkuperämaa
Taiwan, Province Of China
Tuotetiedot
N-Channel MOSFET, Medium Voltage/ThunderFET®, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.