P-Channel MOSFET, 18.3 A, 30 V, 8-Pin SO-8 Vishay Si4425FDY-T1-GE3

RS tilauskoodi: 200-6797Tuotemerkki: VishayValmistajan osanumero.: Si4425FDY-T1-GE3
brand-logo
Näytä kaikki MOSFETs tuotteet

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

Vishay

Channel Type

P

Maximum Continuous Drain Current

18.3 A

Maximum Drain Source Voltage

30 V

Series

TrenchFET® Gen IV

Package Type

SO-8

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance

0.016 Ω, 0.0095 Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

2.2V

Number of Elements per Chip

1

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

Tarkista myöhemmin uudelleen.

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

€ 0,248

1 kpl (50 kpl/pakkaus) (ilman ALV)

€ 0,311

1 kpl (50 kpl/pakkaus) (Sis ALV:n)

P-Channel MOSFET, 18.3 A, 30 V, 8-Pin SO-8 Vishay Si4425FDY-T1-GE3

50

Pakkauskoko 50
50€ 12,40
100€ 24,80
150€ 37,20
200€ 49,60
250€ 62,00
300€ 74,40
350€ 86,80
400€ 99,20
450€ 111,60
500€ 124,00
550€ 136,40
600€ 148,80
650€ 161,20
700€ 173,60
750€ 186,00

€ 0,248

1 kpl (50 kpl/pakkaus) (ilman ALV)

€ 0,311

1 kpl (50 kpl/pakkaus) (Sis ALV:n)

P-Channel MOSFET, 18.3 A, 30 V, 8-Pin SO-8 Vishay Si4425FDY-T1-GE3
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

50

Pakkauskoko 50
50€ 12,40
100€ 24,80
150€ 37,20
200€ 49,60
250€ 62,00
300€ 74,40
350€ 86,80
400€ 99,20
450€ 111,60
500€ 124,00
550€ 136,40
600€ 148,80
650€ 161,20
700€ 173,60
750€ 186,00

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

Vishay

Channel Type

P

Maximum Continuous Drain Current

18.3 A

Maximum Drain Source Voltage

30 V

Series

TrenchFET® Gen IV

Package Type

SO-8

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance

0.016 Ω, 0.0095 Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

2.2V

Number of Elements per Chip

1

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja