N-Channel MOSFET, 33 A, 600 V, 3-Pin TO-247AC Vishay SiHG33N60EF-GE3

RS tilauskoodi: 903-4484PTuotemerkki: VishayValmistajan osanumero.: SiHG33N60EF-GE3
brand-logo
Näytä kaikki MOSFETs tuotteet

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

Vishay

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

33 A

Maximum Drain Source Voltage

600 V

Series

EF Series

Package Type

TO-247AC

Mounting Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

98 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Gate Threshold Voltage

2V

Maximum Power Dissipation

278 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-30 V, +30 V

Number of Elements per Chip

1

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Length

15.87mm

Typical Gate Charge @ Vgs

103 nC @ 10 V

Width

5.31mm

Transistor Material

Si

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Forward Diode Voltage

1.2V

Height

20.82mm

Alkuperämaa

China

Tuotetiedot

N-Channel MOSFET with Fast Diode, EF Series, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

Tarkista myöhemmin uudelleen.

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

€ 6,90

kpl (toimitus putkessa) (ilman ALV)

€ 8,66

kpl (toimitus putkessa) (Sis ALV:n)

N-Channel MOSFET, 33 A, 600 V, 3-Pin TO-247AC Vishay SiHG33N60EF-GE3
Valitse pakkaustyyppi

€ 6,90

kpl (toimitus putkessa) (ilman ALV)

€ 8,66

kpl (toimitus putkessa) (Sis ALV:n)

N-Channel MOSFET, 33 A, 600 V, 3-Pin TO-247AC Vishay SiHG33N60EF-GE3
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Valitse pakkaustyyppi

Osta irtotavarana

MääräYksikköhinta
1 - 9€ 6,90
10 - 24€ 6,40
25 - 49€ 5,80
50 - 99€ 5,50
100+€ 5,10

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

Vishay

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

33 A

Maximum Drain Source Voltage

600 V

Series

EF Series

Package Type

TO-247AC

Mounting Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

98 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Gate Threshold Voltage

2V

Maximum Power Dissipation

278 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-30 V, +30 V

Number of Elements per Chip

1

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Length

15.87mm

Typical Gate Charge @ Vgs

103 nC @ 10 V

Width

5.31mm

Transistor Material

Si

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Forward Diode Voltage

1.2V

Height

20.82mm

Alkuperämaa

China

Tuotetiedot

N-Channel MOSFET with Fast Diode, EF Series, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja