N-Channel MOSFET, 14 A, 23 A, 650 V, 4-Pin PowerPAK 8 x 8 Vishay SIHH125N60EF-T1GE3
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
VishayChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
14 A, 23 A
Maximum Drain Source Voltage
650 V
Series
EF
Package Type
PowerPAK 8 x 8
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
4
Maximum Drain Source Resistance
0.125 Ω
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
5V
Number of Elements per Chip
1
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Tarkista myöhemmin uudelleen.
€ 10 650,00
€ 3,55 1 kpl (3000 kpl/kela) (ilman ALV)
€ 13 365,75
€ 4,455 1 kpl (3000 kpl/kela) (Sis ALV:n)
3000
€ 10 650,00
€ 3,55 1 kpl (3000 kpl/kela) (ilman ALV)
€ 13 365,75
€ 4,455 1 kpl (3000 kpl/kela) (Sis ALV:n)
3000
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
VishayChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
14 A, 23 A
Maximum Drain Source Voltage
650 V
Series
EF
Package Type
PowerPAK 8 x 8
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
4
Maximum Drain Source Resistance
0.125 Ω
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
5V
Number of Elements per Chip
1
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.