Diodes Inc Dual N/P-Channel MOSFET, 9.3 A, 9.6 A, 35 V, 3-Pin DPAK DMG4511SK4-13
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
DiodesZetexChannel Type
N, P
Maximum Continuous Drain Current
9.3 A, 9.6 A
Maximum Drain Source Voltage
35 V
Package Type
DPAK (TO-252)
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
65 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
3V
Maximum Power Dissipation
8.9 W
Transistor Configuration
Isolated
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Width
6.2mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
2
Length
6.7mm
Typical Gate Charge @ Vgs
18.7 nC @ 10 V, 19.2 nC @ 10 V
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Height
2.39mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.2V
Tuotetiedot
Dual N/P-Channel MOSFET, Diodes Inc.
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
€ 12,70
€ 0,635 1 kpl (20 kpl/pakkaus) (ilman ALV)
€ 15,94
€ 0,797 1 kpl (20 kpl/pakkaus) (Sis ALV:n)
Standardi
20
€ 12,70
€ 0,635 1 kpl (20 kpl/pakkaus) (ilman ALV)
€ 15,94
€ 0,797 1 kpl (20 kpl/pakkaus) (Sis ALV:n)
Standardi
20
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Tarkista myöhemmin uudelleen.
| Määrä | Yksikköhinta | Per Pakkaus |
|---|---|---|
| 20 - 80 | € 0,635 | € 12,70 |
| 100 - 480 | € 0,41 | € 8,20 |
| 500 - 980 | € 0,367 | € 7,34 |
| 1000+ | € 0,328 | € 6,56 |
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
DiodesZetexChannel Type
N, P
Maximum Continuous Drain Current
9.3 A, 9.6 A
Maximum Drain Source Voltage
35 V
Package Type
DPAK (TO-252)
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
65 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
3V
Maximum Power Dissipation
8.9 W
Transistor Configuration
Isolated
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Width
6.2mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
2
Length
6.7mm
Typical Gate Charge @ Vgs
18.7 nC @ 10 V, 19.2 nC @ 10 V
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Height
2.39mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.2V
Tuotetiedot
Dual N/P-Channel MOSFET, Diodes Inc.
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.