Diodes Inc N-Channel MOSFET, 500 mA, 12 V, 3-Pin X2-DFN0806 DMN1260UFA-7B

RS tilauskoodi: 921-1057Tuotemerkki: DiodesZetexValmistajan osanumero.: DMN1260UFA-7B
brand-logo
Näytä kaikki MOSFETs tuotteet

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

500 mA

Maximum Drain Source Voltage

12 V

Package Type

X2-DFN0806

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

1.5 Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

1V

Minimum Gate Threshold Voltage

0.4V

Maximum Power Dissipation

360 mW

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-8 V, +8 V

Width

0.85mm

Transistor Material

Si

Number of Elements per Chip

1

Length

0.65mm

Typical Gate Charge @ Vgs

0.96 nC @ 4.5 V

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Height

0.35mm

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Forward Diode Voltage

1.2V

Tuotetiedot

N-Channel MOSFET, 12V to 28V, Diodes Inc

MOSFET Transistors, Diodes Inc.

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

€ 16,70

€ 0,167 1 kpl (100 kpl/pakkaus) (ilman ALV)

€ 20,96

€ 0,21 1 kpl (100 kpl/pakkaus) (Sis ALV:n)

Diodes Inc N-Channel MOSFET, 500 mA, 12 V, 3-Pin X2-DFN0806 DMN1260UFA-7B
Valitse pakkaustyyppi

€ 16,70

€ 0,167 1 kpl (100 kpl/pakkaus) (ilman ALV)

€ 20,96

€ 0,21 1 kpl (100 kpl/pakkaus) (Sis ALV:n)

Diodes Inc N-Channel MOSFET, 500 mA, 12 V, 3-Pin X2-DFN0806 DMN1260UFA-7B
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Valitse pakkaustyyppi

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

Tarkista myöhemmin uudelleen.

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

500 mA

Maximum Drain Source Voltage

12 V

Package Type

X2-DFN0806

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

1.5 Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

1V

Minimum Gate Threshold Voltage

0.4V

Maximum Power Dissipation

360 mW

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-8 V, +8 V

Width

0.85mm

Transistor Material

Si

Number of Elements per Chip

1

Length

0.65mm

Typical Gate Charge @ Vgs

0.96 nC @ 4.5 V

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Height

0.35mm

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Forward Diode Voltage

1.2V

Tuotetiedot

N-Channel MOSFET, 12V to 28V, Diodes Inc

MOSFET Transistors, Diodes Inc.

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja