Infineon SIPMOS® P-Channel MOSFET, 190 mA, 250 V, 3-Pin SOT-89 BSS192PH6327FTSA1

RS tilauskoodi: 753-2848Tuotemerkki: InfineonValmistajan osanumero.: BSS192P
brand-logo
Näytä kaikki MOSFETs tuotteet

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

Infineon

Channel Type

P

Maximum Continuous Drain Current

190 mA

Maximum Drain Source Voltage

250 V

Package Type

SOT-89

Series

SIPMOS®

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

20 Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

2V

Minimum Gate Threshold Voltage

1V

Maximum Power Dissipation

1 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Transistor Material

Si

Number of Elements per Chip

1

Length

4.5mm

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Typical Gate Charge @ Vgs

4.9 nC @ 10 V

Width

2.5mm

Height

1.5mm

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Tuotetiedot

Infineon SIPMOS® P-Channel MOSFETs

The Infineon SIPMOS® small Signal P- channel MOSFETs have several features which may include enhancement mode, continuous drain current some as low as -80A plus a wide operating temperature range. The SIPMOS Power transistor can be used in a variety of applications including Telecom, eMobility, Notebooks, DC/DC devices as well as the automotive industry.

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

€ 4,20

€ 0,42 1 kpl (10 kpl/pakkaus) (ilman ALV)

€ 5,27

€ 0,527 1 kpl (10 kpl/pakkaus) (Sis ALV:n)

Infineon SIPMOS® P-Channel MOSFET, 190 mA, 250 V, 3-Pin SOT-89 BSS192PH6327FTSA1
Valitse pakkaustyyppi

Standardi

Valitse pakkaustyyppi

Standardi - each

Pakkauskoko 10.

Tuotanto -

Pakkauskoko 10.

Suositellaan tilattaessa suuria määriä. Tuotteet on pakattu valmiiksi koneisiin asennettaviksi, jolloin voit parantaa tuotannon tehokkuutta.

10

Pakkauskoko 10
10€ 4,20
20€ 8,40
30€ 12,60
40€ 16,80
50€ 21,00
60€ 25,20
70€ 29,40
80€ 33,60
90€ 37,80
100€ 39,90
110€ 43,89
120€ 47,88
130€ 51,87
140€ 55,86
150€ 59,85

€ 4,20

€ 0,42 1 kpl (10 kpl/pakkaus) (ilman ALV)

€ 5,27

€ 0,527 1 kpl (10 kpl/pakkaus) (Sis ALV:n)

Infineon SIPMOS® P-Channel MOSFET, 190 mA, 250 V, 3-Pin SOT-89 BSS192PH6327FTSA1
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Valitse pakkaustyyppi

Standardi

Valitse pakkaustyyppi

Standardi - each

Pakkauskoko 10.

Tuotanto -

Pakkauskoko 10.

Suositellaan tilattaessa suuria määriä. Tuotteet on pakattu valmiiksi koneisiin asennettaviksi, jolloin voit parantaa tuotannon tehokkuutta.

10

Pakkauskoko 10
10€ 4,20
20€ 8,40
30€ 12,60
40€ 16,80
50€ 21,00
60€ 25,20
70€ 29,40
80€ 33,60
90€ 37,80
100€ 39,90
110€ 43,89
120€ 47,88
130€ 51,87
140€ 55,86
150€ 59,85

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

Tarkista myöhemmin uudelleen.

MääräYksikköhintaPer Pakkaus
10 - 90€ 0,42€ 4,20
100 - 240€ 0,399€ 3,99
250 - 490€ 0,391€ 3,91
500 - 990€ 0,366€ 3,66
1000+€ 0,34€ 3,40

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

Infineon

Channel Type

P

Maximum Continuous Drain Current

190 mA

Maximum Drain Source Voltage

250 V

Package Type

SOT-89

Series

SIPMOS®

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

20 Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

2V

Minimum Gate Threshold Voltage

1V

Maximum Power Dissipation

1 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Transistor Material

Si

Number of Elements per Chip

1

Length

4.5mm

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Typical Gate Charge @ Vgs

4.9 nC @ 10 V

Width

2.5mm

Height

1.5mm

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Tuotetiedot

Infineon SIPMOS® P-Channel MOSFETs

The Infineon SIPMOS® small Signal P- channel MOSFETs have several features which may include enhancement mode, continuous drain current some as low as -80A plus a wide operating temperature range. The SIPMOS Power transistor can be used in a variety of applications including Telecom, eMobility, Notebooks, DC/DC devices as well as the automotive industry.

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja