Infineon OptiMOS™ 3 N-Channel MOSFET, 10.9 A, 250 V, 8-Pin PQFN 3 x 3 BSZ16DN25NS3GATMA1
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
InfineonChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
10.9 A
Maximum Drain Source Voltage
250 V
Series
OptiMOS™ 3
Package Type
PQFN 3 x 3
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
8
Maximum Drain Source Resistance
0.165 O
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
€ 4 675,00
€ 0,935 1 kpl (5000 kpl/kela) (ilman ALV)
€ 5 867,12
€ 1,173 1 kpl (5000 kpl/kela) (Sis ALV:n)
5000
€ 4 675,00
€ 0,935 1 kpl (5000 kpl/kela) (ilman ALV)
€ 5 867,12
€ 1,173 1 kpl (5000 kpl/kela) (Sis ALV:n)
5000
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Tarkista myöhemmin uudelleen.
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
InfineonChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
10.9 A
Maximum Drain Source Voltage
250 V
Series
OptiMOS™ 3
Package Type
PQFN 3 x 3
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
8
Maximum Drain Source Resistance
0.165 O
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.