Infineon FF1600R12IP7BOSA1 Half Bridge IGBT, 1.6 kA 1200 V, Screw Mount
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
InfineonMaximum Continuous Collector Current
1.6 kA
Maximum Collector Emitter Voltage
1200 V
Maximum Gate Emitter Voltage
±20V
Number of Transistors
2
Maximum Power Dissipation
20 mW
Configuration
Half Bridge
Mounting Type
Screw Mount
Channel Type
N
Alkuperämaa
Germany
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
€ 945,00
€ 945,00 kpl (ilman ALV)
€ 1 185,98
€ 1 185,98 kpl (Sis ALV:n)
1
€ 945,00
€ 945,00 kpl (ilman ALV)
€ 1 185,98
€ 1 185,98 kpl (Sis ALV:n)
1
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Tarkista myöhemmin uudelleen.
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
InfineonMaximum Continuous Collector Current
1.6 kA
Maximum Collector Emitter Voltage
1200 V
Maximum Gate Emitter Voltage
±20V
Number of Transistors
2
Maximum Power Dissipation
20 mW
Configuration
Half Bridge
Mounting Type
Screw Mount
Channel Type
N
Alkuperämaa
Germany
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.