Infineon FP100R12KT4BOSA1 IGBT Module, 100 A 1200 V
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
InfineonMaximum Continuous Collector Current
100 A
Maximum Collector Emitter Voltage
1200 V
Maximum Gate Emitter Voltage
+/-20V
Maximum Power Dissipation
515 W
Number of Transistors
7
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
€ 204,00
€ 204,00 kpl (ilman ALV)
€ 256,02
€ 256,02 kpl (Sis ALV:n)
1
€ 204,00
€ 204,00 kpl (ilman ALV)
€ 256,02
€ 256,02 kpl (Sis ALV:n)
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
1
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
| Määrä | Yksikköhinta |
|---|---|
| 1 - 1 | € 204,00 |
| 2 - 2 | € 200,00 |
| 3+ | € 180,00 |
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
InfineonMaximum Continuous Collector Current
100 A
Maximum Collector Emitter Voltage
1200 V
Maximum Gate Emitter Voltage
+/-20V
Maximum Power Dissipation
515 W
Number of Transistors
7
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.