Infineon CoolSiC 2000 V SiC Trench MOSFET SiC N-Channel MOSFET, 89 A, 2000 V, 4-Pin PG-TO247-4-PLUS-NT14
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
InfineonChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
89 A
Maximum Drain Source Voltage
2000 V
Package Type
PG-TO247-4-PLUS-NT14
Series
CoolSiC 2000 V SiC Trench MOSFET
Mounting Type
Through Hole
Pin Count
4
Channel Mode
Enhancement
Transistor Material
SiC
Number of Elements per Chip
1
Alkuperämaa
Malaysia
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
€ 2 625,00
€ 87,50 1 kpl (30 kpl/putki) (ilman ALV)
€ 3 294,38
€ 109,812 1 kpl (30 kpl/putki) (Sis ALV:n)
30
€ 2 625,00
€ 87,50 1 kpl (30 kpl/putki) (ilman ALV)
€ 3 294,38
€ 109,812 1 kpl (30 kpl/putki) (Sis ALV:n)
30
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Tarkista myöhemmin uudelleen.
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
InfineonChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
89 A
Maximum Drain Source Voltage
2000 V
Package Type
PG-TO247-4-PLUS-NT14
Series
CoolSiC 2000 V SiC Trench MOSFET
Mounting Type
Through Hole
Pin Count
4
Channel Mode
Enhancement
Transistor Material
SiC
Number of Elements per Chip
1
Alkuperämaa
Malaysia
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.