Infineon N-Channel MOSFET, 50 A, 60 V, 3-Pin DPAK IPD50N06S4L12ATMA2
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
InfineonChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
50 A
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Series
OptiMOS™ -T2
Package Type
DPAK (TO-252)
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
0.012 Ω
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2.2V
Number of Elements per Chip
1
Transistor Material
Si
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
€ 1 050,00
€ 0,42 1 kpl (2500 kpl/kela) (ilman ALV)
€ 1 317,75
€ 0,527 1 kpl (2500 kpl/kela) (Sis ALV:n)
2500
€ 1 050,00
€ 0,42 1 kpl (2500 kpl/kela) (ilman ALV)
€ 1 317,75
€ 0,527 1 kpl (2500 kpl/kela) (Sis ALV:n)
2500
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Tarkista myöhemmin uudelleen.
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
InfineonChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
50 A
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Series
OptiMOS™ -T2
Package Type
DPAK (TO-252)
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
0.012 Ω
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2.2V
Number of Elements per Chip
1
Transistor Material
Si
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.