Infineon CoolMOS™ CE N-Channel MOSFET, 7.2 A, 650 V, 3-Pin DPAK IPD65R1K0CEAUMA1
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
InfineonChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
7.2 A
Maximum Drain Source Voltage
650 V
Series
CoolMOS™ CE
Package Type
TO-252
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
1 O
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
3.5V
Number of Elements per Chip
1
Transistor Material
Si
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
€ 870,00
€ 0,348 1 kpl (2500 kpl/kela) (ilman ALV)
€ 1 091,85
€ 0,437 1 kpl (2500 kpl/kela) (Sis ALV:n)
2500
€ 870,00
€ 0,348 1 kpl (2500 kpl/kela) (ilman ALV)
€ 1 091,85
€ 0,437 1 kpl (2500 kpl/kela) (Sis ALV:n)
2500
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Tarkista myöhemmin uudelleen.
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
InfineonChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
7.2 A
Maximum Drain Source Voltage
650 V
Series
CoolMOS™ CE
Package Type
TO-252
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
1 O
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
3.5V
Number of Elements per Chip
1
Transistor Material
Si
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.