Infineon CoolMOS™ P7 N-Channel MOSFET, 31 A, 600 V, 3-Pin TO-220 IPP60R099P7XKSA1

RS tilauskoodi: 215-2539Tuotemerkki: InfineonValmistajan osanumero.: IPP60R099P7XKSA1
brand-logo
Näytä kaikki MOSFETs tuotteet

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

Infineon

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

31 A

Maximum Drain Source Voltage

600 V

Series

CoolMOS™ P7

Package Type

TO-220

Mounting Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

0.099 Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

4V

Minimum Gate Threshold Voltage

3V

Maximum Power Dissipation

117 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

± 20 V

Width

15.95mm

Transistor Material

Si

Number of Elements per Chip

1

Length

10.36mm

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Height

4.57mm

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Forward Diode Voltage

0.9V

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

€ 22,50

€ 4,50 1 kpl (5 kpl/pakkaus) (ilman ALV)

€ 28,24

€ 5,648 1 kpl (5 kpl/pakkaus) (Sis ALV:n)

Infineon CoolMOS™ P7 N-Channel MOSFET, 31 A, 600 V, 3-Pin TO-220 IPP60R099P7XKSA1
Valitse pakkaustyyppi

€ 22,50

€ 4,50 1 kpl (5 kpl/pakkaus) (ilman ALV)

€ 28,24

€ 5,648 1 kpl (5 kpl/pakkaus) (Sis ALV:n)

Infineon CoolMOS™ P7 N-Channel MOSFET, 31 A, 600 V, 3-Pin TO-220 IPP60R099P7XKSA1
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Valitse pakkaustyyppi

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

Tarkista myöhemmin uudelleen.

MääräYksikköhintaPer Pakkaus
5 - 20€ 4,50€ 22,50
25 - 45€ 3,80€ 19,00
50 - 120€ 3,55€ 17,75
125 - 245€ 3,30€ 16,50
250+€ 3,05€ 15,25

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

Infineon

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

31 A

Maximum Drain Source Voltage

600 V

Series

CoolMOS™ P7

Package Type

TO-220

Mounting Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

0.099 Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

4V

Minimum Gate Threshold Voltage

3V

Maximum Power Dissipation

117 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

± 20 V

Width

15.95mm

Transistor Material

Si

Number of Elements per Chip

1

Length

10.36mm

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Height

4.57mm

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Forward Diode Voltage

0.9V

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja