Infineon DirectFET N-Channel MOSFET, 198 A, 40 V DirectFET ISOMETRIC IRF7946TRPBF

RS tilauskoodi: 130-0965PTuotemerkki: InfineonValmistajan osanumero.: IRF7946TRPBF
brand-logo
Näytä kaikki MOSFETs tuotteet

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

Infineon

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

198 A

Maximum Drain Source Voltage

40 V

Series

DirectFET

Package Type

DirectFET ISOMETRIC

Mounting Type

Surface Mount

Maximum Drain Source Resistance

1.4 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

3.9V

Minimum Gate Threshold Voltage

2.2V

Maximum Power Dissipation

96 W

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Width

5.05mm

Number of Elements per Chip

1

Length

6.35mm

Typical Gate Charge @ Vgs

141 nC @ 20 V

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Height

0.53mm

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Forward Diode Voltage

1.2V

Tuotetiedot

StrongIRFET™ Power MOSFET, Infineon

Infineon's StrongIRFET family is optimized for low RDS(on) and high-current capability. This portfolio offers improved gate, avalanche and dynamic dv/dt ruggedness ideal for industrial low frequency applications including motor drives, power tools, inverters and battery management where performance and robustness are essential.

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

€ 43,00

€ 2,15 kpl (toimitus kelassa) (ilman ALV)

€ 53,96

€ 2,698 kpl (toimitus kelassa) (Sis ALV:n)

Infineon DirectFET N-Channel MOSFET, 198 A, 40 V DirectFET ISOMETRIC IRF7946TRPBF
Valitse pakkaustyyppi

Tuotantopakkaus (Kela)

Valitse pakkaustyyppi

Standardi - each

Pakkauskoko 2.

Tuotanto -

Pakkauskoko 2.

Suositellaan tilattaessa suuria määriä. Tuotteet on pakattu valmiiksi koneisiin asennettaviksi, jolloin voit parantaa tuotannon tehokkuutta.

20

Pakkauskoko 2
20€ 43,00
22€ 47,30
24€ 51,60
26€ 55,90
28€ 60,20
30€ 64,50
32€ 68,80
34€ 73,10
36€ 77,40
38€ 81,70
40€ 86,00
42€ 90,30
44€ 94,60
46€ 98,90
48€ 103,20

€ 43,00

€ 2,15 kpl (toimitus kelassa) (ilman ALV)

€ 53,96

€ 2,698 kpl (toimitus kelassa) (Sis ALV:n)

Infineon DirectFET N-Channel MOSFET, 198 A, 40 V DirectFET ISOMETRIC IRF7946TRPBF
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Valitse pakkaustyyppi

Tuotantopakkaus (Kela)

Valitse pakkaustyyppi

Standardi - each

Pakkauskoko 2.

Tuotanto -

Pakkauskoko 2.

Suositellaan tilattaessa suuria määriä. Tuotteet on pakattu valmiiksi koneisiin asennettaviksi, jolloin voit parantaa tuotannon tehokkuutta.

20

Pakkauskoko 2
20€ 43,00
22€ 47,30
24€ 51,60
26€ 55,90
28€ 60,20
30€ 64,50
32€ 68,80
34€ 73,10
36€ 77,40
38€ 81,70
40€ 86,00
42€ 90,30
44€ 94,60
46€ 98,90
48€ 103,20

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

Tarkista myöhemmin uudelleen.

MääräYksikköhintaPer Kela
20 - 48€ 2,15€ 4,30
50 - 98€ 2,05€ 4,10
100 - 198€ 1,90€ 3,80
200+€ 1,75€ 3,50

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

Infineon

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

198 A

Maximum Drain Source Voltage

40 V

Series

DirectFET

Package Type

DirectFET ISOMETRIC

Mounting Type

Surface Mount

Maximum Drain Source Resistance

1.4 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

3.9V

Minimum Gate Threshold Voltage

2.2V

Maximum Power Dissipation

96 W

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Width

5.05mm

Number of Elements per Chip

1

Length

6.35mm

Typical Gate Charge @ Vgs

141 nC @ 20 V

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Height

0.53mm

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Forward Diode Voltage

1.2V

Tuotetiedot

StrongIRFET™ Power MOSFET, Infineon

Infineon's StrongIRFET family is optimized for low RDS(on) and high-current capability. This portfolio offers improved gate, avalanche and dynamic dv/dt ruggedness ideal for industrial low frequency applications including motor drives, power tools, inverters and battery management where performance and robustness are essential.

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja