Infineon HEXFET N-Channel MOSFET, 200 A, 60 V, 3-Pin TO-247AC IRFP3206PBF
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
InfineonChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
200 A
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Series
HEXFET
Package Type
TO-247AC
Mounting Type
Through Hole
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
3 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
280 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Width
5.31mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Length
15.87mm
Typical Gate Charge @ Vgs
120 nC @ 10 V
Maximum Operating Temperature
+175 °C
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Height
20.7mm
Alkuperämaa
Mexico
Tuotetiedot
Motor Control and AC-DC Synchronous Rectifier MOSFET, Infineon
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
€ 67,50
€ 2,70 1 kpl (25 kpl/putki) (ilman ALV)
€ 84,71
€ 3,388 1 kpl (25 kpl/putki) (Sis ALV:n)
25
€ 67,50
€ 2,70 1 kpl (25 kpl/putki) (ilman ALV)
€ 84,71
€ 3,388 1 kpl (25 kpl/putki) (Sis ALV:n)
25
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Tarkista myöhemmin uudelleen.
| Määrä | Yksikköhinta | Per Putki |
|---|---|---|
| 25 - 25 | € 2,70 | € 67,50 |
| 50 - 100 | € 2,30 | € 57,50 |
| 125 - 225 | € 2,15 | € 53,75 |
| 250 - 475 | € 2,00 | € 50,00 |
| 500+ | € 1,90 | € 47,50 |
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
InfineonChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
200 A
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Series
HEXFET
Package Type
TO-247AC
Mounting Type
Through Hole
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
3 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
280 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Width
5.31mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Length
15.87mm
Typical Gate Charge @ Vgs
120 nC @ 10 V
Maximum Operating Temperature
+175 °C
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Height
20.7mm
Alkuperämaa
Mexico
Tuotetiedot
Motor Control and AC-DC Synchronous Rectifier MOSFET, Infineon
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.