N-Channel MOSFET Transistor, 280 A, 40 V, 3-Pin TO-220 International Rectifier IRF2804PBF
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
International RectifierChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
280 A
Maximum Drain Source Voltage
40 V
Package Type
TO-220
Mounting Type
Through Hole
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
2 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
330 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Typical Gate Charge @ Vgs
160 nC @ 10 V
Number of Elements per Chip
1
Maximum Operating Temperature
+175 °C
Length
10.67mm
Width
4.83mm
Transistor Material
Si
Series
HEXFET
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Height
9.02mm
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Hintaa ei saatavilla
1
Hintaa ei saatavilla
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
1
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
International RectifierChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
280 A
Maximum Drain Source Voltage
40 V
Package Type
TO-220
Mounting Type
Through Hole
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
2 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
330 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Typical Gate Charge @ Vgs
160 nC @ 10 V
Number of Elements per Chip
1
Maximum Operating Temperature
+175 °C
Length
10.67mm
Width
4.83mm
Transistor Material
Si
Series
HEXFET
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Height
9.02mm
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.