International Rectifier IRLML2502 N-Channel MOSFET, 4.2 A, 20 V, 3-Pin SOT-23 IRLML2502TRPBF
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
International RectifierChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
4.2 A
Maximum Drain Source Voltage
20 V
Series
IRLML2502
Package Type
SOT-23
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
80 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
1.2V
Minimum Gate Threshold Voltage
0.6V
Maximum Power Dissipation
1.25 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±12 V
Number of Elements per Chip
1
Width
1.4mm
Length
3.04mm
Typical Gate Charge @ Vgs
8 nC @ 5 V
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.2V
Height
1.02mm
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
€ 321,00
€ 0,107 1 kpl (3000 kpl/kela) (ilman ALV)
€ 402,86
€ 0,134 1 kpl (3000 kpl/kela) (Sis ALV:n)
3000
€ 321,00
€ 0,107 1 kpl (3000 kpl/kela) (ilman ALV)
€ 402,86
€ 0,134 1 kpl (3000 kpl/kela) (Sis ALV:n)
3000
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Tarkista myöhemmin uudelleen.
| Määrä | Yksikköhinta | Per Kela |
|---|---|---|
| 3000 - 3000 | € 0,107 | € 321,00 |
| 6000 - 6000 | € 0,102 | € 306,00 |
| 9000+ | € 0,095 | € 285,00 |
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
International RectifierChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
4.2 A
Maximum Drain Source Voltage
20 V
Series
IRLML2502
Package Type
SOT-23
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
80 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
1.2V
Minimum Gate Threshold Voltage
0.6V
Maximum Power Dissipation
1.25 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±12 V
Number of Elements per Chip
1
Width
1.4mm
Length
3.04mm
Typical Gate Charge @ Vgs
8 nC @ 5 V
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.2V
Height
1.02mm
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.