IXYS HiperFET N-Channel MOSFET, 24 A, 1000 V, 4-Pin SOT-227 IXFN24N100

RS tilauskoodi: 146-1694Tuotemerkki: IXYSValmistajan osanumero.: IXFN24N100
brand-logo
Näytä kaikki MOSFETs tuotteet

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

IXYS

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

24 A

Maximum Drain Source Voltage

1000 V

Series

HiperFET

Package Type

SOT-227

Mounting Type

Screw Mount

Pin Count

4

Maximum Drain Source Resistance

390 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

5.5V

Maximum Power Dissipation

568 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Number of Elements per Chip

1

Width

25.42mm

Length

38.23mm

Typical Gate Charge @ Vgs

267 nC @ 10 V

Transistor Material

Si

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Height

9.6mm

Tuotetiedot

N-channel Power MOSFET, IXYS HiperFET™ Series

MOSFET Transistors, IXYS

A wide range of advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

€ 540,00

€ 54,00 1 kpl (10 kpl/putki) (ilman ALV)

€ 677,70

€ 67,77 1 kpl (10 kpl/putki) (Sis ALV:n)

IXYS HiperFET N-Channel MOSFET, 24 A, 1000 V, 4-Pin SOT-227 IXFN24N100

€ 540,00

€ 54,00 1 kpl (10 kpl/putki) (ilman ALV)

€ 677,70

€ 67,77 1 kpl (10 kpl/putki) (Sis ALV:n)

IXYS HiperFET N-Channel MOSFET, 24 A, 1000 V, 4-Pin SOT-227 IXFN24N100
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

Tarkista myöhemmin uudelleen.

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

IXYS

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

24 A

Maximum Drain Source Voltage

1000 V

Series

HiperFET

Package Type

SOT-227

Mounting Type

Screw Mount

Pin Count

4

Maximum Drain Source Resistance

390 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

5.5V

Maximum Power Dissipation

568 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Number of Elements per Chip

1

Width

25.42mm

Length

38.23mm

Typical Gate Charge @ Vgs

267 nC @ 10 V

Transistor Material

Si

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Height

9.6mm

Tuotetiedot

N-channel Power MOSFET, IXYS HiperFET™ Series

MOSFET Transistors, IXYS

A wide range of advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja