N-Channel MOSFET, 23 A, 100 V, 3-Pin TO-220AB NXP BUK9575-100A,127
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
NXPChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
23 A
Maximum Drain Source Voltage
100 V
Package Type
TO-220AB
Mounting Type
Through Hole
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
72 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2V
Minimum Gate Threshold Voltage
1V
Maximum Power Dissipation
98 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-15 V, +15 V
Number of Elements per Chip
1
Maximum Operating Temperature
+175 °C
Length
10.3mm
Width
4.7mm
Transistor Material
Si
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Height
9.4mm
Tuotetiedot
N-Channel MOSFET, 100V and Higher, Nexperia
MOSFET Transistors, NXP Semiconductors
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
€ 4,55
€ 0,91 1 kpl (5 kpl/pakkaus) (ilman ALV)
€ 5,71
€ 1,142 1 kpl (5 kpl/pakkaus) (Sis ALV:n)
5
€ 4,55
€ 0,91 1 kpl (5 kpl/pakkaus) (ilman ALV)
€ 5,71
€ 1,142 1 kpl (5 kpl/pakkaus) (Sis ALV:n)
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
5
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
| Määrä | Yksikköhinta | Per Pakkaus |
|---|---|---|
| 5 - 5 | € 0,91 | € 4,55 |
| 10 - 20 | € 0,824 | € 4,12 |
| 25 - 45 | € 0,804 | € 4,02 |
| 50 - 95 | € 0,775 | € 3,88 |
| 100+ | € 0,63 | € 3,15 |
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
NXPChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
23 A
Maximum Drain Source Voltage
100 V
Package Type
TO-220AB
Mounting Type
Through Hole
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
72 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2V
Minimum Gate Threshold Voltage
1V
Maximum Power Dissipation
98 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-15 V, +15 V
Number of Elements per Chip
1
Maximum Operating Temperature
+175 °C
Length
10.3mm
Width
4.7mm
Transistor Material
Si
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Height
9.4mm
Tuotetiedot
N-Channel MOSFET, 100V and Higher, Nexperia
MOSFET Transistors, NXP Semiconductors
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.