onsemi KSC2334YTU NPN Transistor, 7 A, 100 V, 3-Pin TO-220
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
onsemiTransistor Type
NPN
Maximum DC Collector Current
7 A
Maximum Collector Emitter Voltage
100 V
Package Type
TO-220
Mounting Type
Through Hole
Maximum Power Dissipation
40 W
Minimum DC Current Gain
120
Transistor Configuration
Single
Maximum Collector Base Voltage
150 V
Maximum Emitter Base Voltage
7 V
Pin Count
3
Number of Elements per Chip
1
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Dimensions
9.9 x 4.5 x 18.95mm
Tuotetiedot
Power NPN Transistors, Fairchild Semiconductor
Bipolar Transistors, Fairchild Semiconductor
Bipolar Junction Transistors (BJT) broad range provides complete solutions for various circuit application needs. Innovative packages are designed for minimal size, highest reliability and maximum thermal performance.
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
€ 37,30
€ 0,746 kpl (toimitus putkessa) (ilman ALV)
€ 46,81
€ 0,936 kpl (toimitus putkessa) (Sis ALV:n)
Tuotantopakkaus (Putki)
50
€ 37,30
€ 0,746 kpl (toimitus putkessa) (ilman ALV)
€ 46,81
€ 0,936 kpl (toimitus putkessa) (Sis ALV:n)
Tuotantopakkaus (Putki)
50
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Tarkista myöhemmin uudelleen.
| Määrä | Yksikköhinta | Per Putki |
|---|---|---|
| 50 - 90 | € 0,746 | € 7,46 |
| 100 - 490 | € 0,648 | € 6,48 |
| 500 - 990 | € 0,574 | € 5,74 |
| 1000+ | € 0,452 | € 4,52 |
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
onsemiTransistor Type
NPN
Maximum DC Collector Current
7 A
Maximum Collector Emitter Voltage
100 V
Package Type
TO-220
Mounting Type
Through Hole
Maximum Power Dissipation
40 W
Minimum DC Current Gain
120
Transistor Configuration
Single
Maximum Collector Base Voltage
150 V
Maximum Emitter Base Voltage
7 V
Pin Count
3
Number of Elements per Chip
1
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Dimensions
9.9 x 4.5 x 18.95mm
Tuotetiedot
Power NPN Transistors, Fairchild Semiconductor
Bipolar Transistors, Fairchild Semiconductor
Bipolar Junction Transistors (BJT) broad range provides complete solutions for various circuit application needs. Innovative packages are designed for minimal size, highest reliability and maximum thermal performance.
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.