onsemi N-Channel MOSFET, 123 A, 80 V, 5-Pin DFN NTMFS6H818NT1G
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
onsemiChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
123 A
Maximum Drain Source Voltage
80 V
Package Type
DFN
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
5
Maximum Drain Source Resistance
3.7 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
3.8 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±20 V
Number of Elements per Chip
1
Width
6.1mm
Length
5.1mm
Typical Gate Charge @ Vgs
46 nC @ 10 V
Maximum Operating Temperature
+175 °C
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.2V
Height
1.05mm
Alkuperämaa
Malaysia
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
€ 9,50
€ 1,90 1 kpl (5 kpl/pakkaus) (ilman ALV)
€ 11,92
€ 2,384 1 kpl (5 kpl/pakkaus) (Sis ALV:n)
Standardi
5
€ 9,50
€ 1,90 1 kpl (5 kpl/pakkaus) (ilman ALV)
€ 11,92
€ 2,384 1 kpl (5 kpl/pakkaus) (Sis ALV:n)
Standardi
5
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Tarkista myöhemmin uudelleen.
| Määrä | Yksikköhinta | Per Pakkaus |
|---|---|---|
| 5 - 45 | € 1,90 | € 9,50 |
| 50 - 95 | € 1,65 | € 8,25 |
| 100 - 495 | € 1,40 | € 7,00 |
| 500 - 995 | € 1,25 | € 6,25 |
| 1000+ | € 1,15 | € 5,75 |
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
onsemiChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
123 A
Maximum Drain Source Voltage
80 V
Package Type
DFN
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
5
Maximum Drain Source Resistance
3.7 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
3.8 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±20 V
Number of Elements per Chip
1
Width
6.1mm
Length
5.1mm
Typical Gate Charge @ Vgs
46 nC @ 10 V
Maximum Operating Temperature
+175 °C
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.2V
Height
1.05mm
Alkuperämaa
Malaysia
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.