ROHM RZM002P02 P-Channel MOSFET, 200 mA, 20 V, 3-Pin SOT-723 RZM002P02T2L
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
ROHMChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
200 mA
Maximum Drain Source Voltage
20 V
Series
RZM002P02
Package Type
SOT-723
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
9.6 Ω
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
1V
Minimum Gate Threshold Voltage
0.3V
Maximum Power Dissipation
150 mW
Maximum Gate Source Voltage
-10 V, +10 V
Number of Elements per Chip
1
Width
0.9mm
Length
1.3mm
Typical Gate Charge @ Vgs
1.4 nC @ 4.5 V
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.2V
Height
0.45mm
Tuotetiedot
P-Channel MOSFET Transistors, ROHM
MOSFET Transistors, ROHM Semiconductor
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
€ 8,62
€ 0,115 1 kpl (75 kpl/pakkaus) (ilman ALV)
€ 10,82
€ 0,144 1 kpl (75 kpl/pakkaus) (Sis ALV:n)
75
€ 8,62
€ 0,115 1 kpl (75 kpl/pakkaus) (ilman ALV)
€ 10,82
€ 0,144 1 kpl (75 kpl/pakkaus) (Sis ALV:n)
75
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Tarkista myöhemmin uudelleen.
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
ROHMChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
200 mA
Maximum Drain Source Voltage
20 V
Series
RZM002P02
Package Type
SOT-723
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
9.6 Ω
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
1V
Minimum Gate Threshold Voltage
0.3V
Maximum Power Dissipation
150 mW
Maximum Gate Source Voltage
-10 V, +10 V
Number of Elements per Chip
1
Width
0.9mm
Length
1.3mm
Typical Gate Charge @ Vgs
1.4 nC @ 4.5 V
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.2V
Height
0.45mm
Tuotetiedot
P-Channel MOSFET Transistors, ROHM
MOSFET Transistors, ROHM Semiconductor
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.