STMicroelectronics SCT SiC N-Channel MOSFET, 40 A, 1200 V, 3-Pin HIP247 SCT040W120G3AG

RS tilauskoodi: 215-234Tuotemerkki: STMicroelectronicsValmistajan osanumero.: SCT040W120G3AG
brand-logo
Näytä kaikki MOSFETs tuotteet

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

40 A

Maximum Drain Source Voltage

1200 V

Series

SCT

Package Type

Hip247

Mounting Type

Through Hole

Pin Count

3

Channel Mode

Enhancement

Number of Elements per Chip

1

Transistor Material

SiC

Alkuperämaa

China

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

€ 609,00

€ 20,30 1 kpl (30 kpl/putki) (ilman ALV)

€ 764,30

€ 25,476 1 kpl (30 kpl/putki) (Sis ALV:n)

STMicroelectronics SCT SiC N-Channel MOSFET, 40 A, 1200 V, 3-Pin HIP247 SCT040W120G3AG

€ 609,00

€ 20,30 1 kpl (30 kpl/putki) (ilman ALV)

€ 764,30

€ 25,476 1 kpl (30 kpl/putki) (Sis ALV:n)

STMicroelectronics SCT SiC N-Channel MOSFET, 40 A, 1200 V, 3-Pin HIP247 SCT040W120G3AG
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

Tarkista myöhemmin uudelleen.

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

40 A

Maximum Drain Source Voltage

1200 V

Series

SCT

Package Type

Hip247

Mounting Type

Through Hole

Pin Count

3

Channel Mode

Enhancement

Number of Elements per Chip

1

Transistor Material

SiC

Alkuperämaa

China

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja