N-Channel MOSFET, 60 A, 60 V, 3-Pin TO-220 STMicroelectronics STP60NF06
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
STMicroelectronicsChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
60 A
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Package Type
TO-220
Series
STripFET II
Mounting Type
Through Hole
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
16 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
150 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Width
4.6mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Length
10.4mm
Maximum Operating Temperature
+175 °C
Typical Gate Charge @ Vgs
49 nC @ 10 V
Height
9.15mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Tuotetiedot
N-Channel STripFET™ II, STMicroelectronics
STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
€ 26,25
€ 1,05 kpl (toimitus putkessa) (ilman ALV)
€ 32,94
€ 1,318 kpl (toimitus putkessa) (Sis ALV:n)
Tuotantopakkaus (Putki)
25
€ 26,25
€ 1,05 kpl (toimitus putkessa) (ilman ALV)
€ 32,94
€ 1,318 kpl (toimitus putkessa) (Sis ALV:n)
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Tuotantopakkaus (Putki)
25
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
| Määrä | Yksikköhinta | Per Putki |
|---|---|---|
| 25 - 95 | € 1,05 | € 5,25 |
| 100 - 245 | € 0,808 | € 4,04 |
| 250 - 495 | € 0,672 | € 3,36 |
| 500+ | € 0,633 | € 3,16 |
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
STMicroelectronicsChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
60 A
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Package Type
TO-220
Series
STripFET II
Mounting Type
Through Hole
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
16 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
150 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Width
4.6mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Length
10.4mm
Maximum Operating Temperature
+175 °C
Typical Gate Charge @ Vgs
49 nC @ 10 V
Height
9.15mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Tuotetiedot
N-Channel STripFET™ II, STMicroelectronics
STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.