Taiwan Semi N-Channel MOSFET, 50 A, 60 V, 3-Pin DPAK TSM230N06CP ROG

RS tilauskoodi: 171-3703Tuotemerkki: Taiwan SemiconductorValmistajan osanumero.: TSM230N06CP
brand-logo
Näytä kaikki MOSFETs tuotteet

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

50 A

Maximum Drain Source Voltage

60 V

Package Type

DPAK (TO-252)

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

28 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

2.5V

Minimum Gate Threshold Voltage

1.2V

Maximum Power Dissipation

53 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

±20 V

Number of Elements per Chip

1

Width

5.8mm

Length

6.5mm

Typical Gate Charge @ Vgs

28 nC @ 10 V

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Forward Diode Voltage

1V

Height

2.3mm

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

€ 21,00

€ 0,84 1 kpl (25 kpl/pakkaus) (ilman ALV)

€ 26,36

€ 1,054 1 kpl (25 kpl/pakkaus) (Sis ALV:n)

Taiwan Semi N-Channel MOSFET, 50 A, 60 V, 3-Pin DPAK TSM230N06CP ROG
Valitse pakkaustyyppi

€ 21,00

€ 0,84 1 kpl (25 kpl/pakkaus) (ilman ALV)

€ 26,36

€ 1,054 1 kpl (25 kpl/pakkaus) (Sis ALV:n)

Taiwan Semi N-Channel MOSFET, 50 A, 60 V, 3-Pin DPAK TSM230N06CP ROG
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Valitse pakkaustyyppi

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

Tarkista myöhemmin uudelleen.

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

50 A

Maximum Drain Source Voltage

60 V

Package Type

DPAK (TO-252)

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

28 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

2.5V

Minimum Gate Threshold Voltage

1.2V

Maximum Power Dissipation

53 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

±20 V

Number of Elements per Chip

1

Width

5.8mm

Length

6.5mm

Typical Gate Charge @ Vgs

28 nC @ 10 V

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Forward Diode Voltage

1V

Height

2.3mm

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja