Toshiba TK N-Channel MOSFET, 56 A, 120 V, 3-Pin TO-220SIS TK56A12N1,S4X(S

RS tilauskoodi: 827-6230Tuotemerkki: ToshibaValmistajan osanumero.: TK56A12N1,S4X(S
brand-logo
Näytä kaikki MOSFETs tuotteet

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

Toshiba

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

56 A

Maximum Drain Source Voltage

120 V

Series

TK

Package Type

TO-220SIS

Mounting Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

7.5 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

4V

Maximum Power Dissipation

45 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Number of Elements per Chip

1

Length

10mm

Typical Gate Charge @ Vgs

69 nC @ 10 V

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Width

4.5mm

Transistor Material

Si

Height

15mm

Alkuperämaa

China

Tuotetiedot

MOSFET Transistors, Toshiba

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

€ 9,60

€ 2,40 1 kpl (4 kpl/pakkaus) (ilman ALV)

€ 12,05

€ 3,012 1 kpl (4 kpl/pakkaus) (Sis ALV:n)

Toshiba TK N-Channel MOSFET, 56 A, 120 V, 3-Pin TO-220SIS TK56A12N1,S4X(S
Valitse pakkaustyyppi

Standardi

Valitse pakkaustyyppi

Standardi - each

Pakkauskoko 4.

Tuotanto -

Pakkauskoko 4.

Suositellaan tilattaessa suuria määriä. Tuotteet on pakattu valmiiksi koneisiin asennettaviksi, jolloin voit parantaa tuotannon tehokkuutta.

4

Pakkauskoko 4
4€ 9,60
8€ 19,20
12€ 28,80
16€ 38,40
20€ 48,00
24€ 57,60
28€ 67,20
32€ 76,80
36€ 86,40
40€ 96,00
44€ 105,60
48€ 115,20
52€ 124,80
56€ 134,40
60€ 144,00

€ 9,60

€ 2,40 1 kpl (4 kpl/pakkaus) (ilman ALV)

€ 12,05

€ 3,012 1 kpl (4 kpl/pakkaus) (Sis ALV:n)

Toshiba TK N-Channel MOSFET, 56 A, 120 V, 3-Pin TO-220SIS TK56A12N1,S4X(S
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Valitse pakkaustyyppi

Standardi

Valitse pakkaustyyppi

Standardi - each

Pakkauskoko 4.

Tuotanto -

Pakkauskoko 4.

Suositellaan tilattaessa suuria määriä. Tuotteet on pakattu valmiiksi koneisiin asennettaviksi, jolloin voit parantaa tuotannon tehokkuutta.

4

Pakkauskoko 4
4€ 9,60
8€ 19,20
12€ 28,80
16€ 38,40
20€ 48,00
24€ 57,60
28€ 67,20
32€ 76,80
36€ 86,40
40€ 96,00
44€ 105,60
48€ 115,20
52€ 124,80
56€ 134,40
60€ 144,00

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

Tarkista myöhemmin uudelleen.

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

Toshiba

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

56 A

Maximum Drain Source Voltage

120 V

Series

TK

Package Type

TO-220SIS

Mounting Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

7.5 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

4V

Maximum Power Dissipation

45 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Number of Elements per Chip

1

Length

10mm

Typical Gate Charge @ Vgs

69 nC @ 10 V

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Width

4.5mm

Transistor Material

Si

Height

15mm

Alkuperämaa

China

Tuotetiedot

MOSFET Transistors, Toshiba

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja