Vishay N-Channel MOSFET, 37 A, 60 V, 3-Pin TO-220FP IRFIZ48GPBF
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
VishayChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
37 A
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Package Type
TO-220FP
Mounting Type
Through Hole
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
18 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
50 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Typical Gate Charge @ Vgs
110 nC @ 10 V
Number of Elements per Chip
1
Maximum Operating Temperature
+175 °C
Transistor Material
Si
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Height
9.8mm
Alkuperämaa
China
Tuotetiedot
N-Channel MOSFET, 60V to 90V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
€ 145,00
€ 2,90 kpl (toimitus putkessa) (ilman ALV)
€ 181,98
€ 3,64 kpl (toimitus putkessa) (Sis ALV:n)
Tuotantopakkaus (Putki)
50
€ 145,00
€ 2,90 kpl (toimitus putkessa) (ilman ALV)
€ 181,98
€ 3,64 kpl (toimitus putkessa) (Sis ALV:n)
Tuotantopakkaus (Putki)
50
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Tarkista myöhemmin uudelleen.
| Määrä | Yksikköhinta | Per Putki |
|---|---|---|
| 50 - 120 | € 2,90 | € 14,50 |
| 125 - 245 | € 2,75 | € 13,75 |
| 250 - 495 | € 2,65 | € 13,25 |
| 500+ | € 2,40 | € 12,00 |
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
VishayChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
37 A
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Package Type
TO-220FP
Mounting Type
Through Hole
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
18 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
50 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Typical Gate Charge @ Vgs
110 nC @ 10 V
Number of Elements per Chip
1
Maximum Operating Temperature
+175 °C
Transistor Material
Si
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Height
9.8mm
Alkuperämaa
China
Tuotetiedot
N-Channel MOSFET, 60V to 90V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.