Vishay N-Channel MOSFET, 630 mA, 20 V, 3-Pin SC-75 SI1012CR-T1-GE3
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
VishayChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
630 mA
Maximum Drain Source Voltage
20 V
Package Type
SC-75
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
1.1 Ω
Channel Mode
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage
0.4V
Maximum Power Dissipation
240 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-8 V, +8 V
Typical Gate Charge @ Vgs
1.3 nC @ 8 V
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Number of Elements per Chip
1
Length
1.68mm
Width
0.86mm
Transistor Material
Si
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Height
0.8mm
Tuotetiedot
N-Channel MOSFET, 8V to 25V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
€ 22,80
€ 0,114 kpl (toimitus kelassa) (ilman ALV)
€ 28,61
€ 0,143 kpl (toimitus kelassa) (Sis ALV:n)
Tuotantopakkaus (Kela)
200
€ 22,80
€ 0,114 kpl (toimitus kelassa) (ilman ALV)
€ 28,61
€ 0,143 kpl (toimitus kelassa) (Sis ALV:n)
Tuotantopakkaus (Kela)
200
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Tarkista myöhemmin uudelleen.
| Määrä | Yksikköhinta | Per Kela |
|---|---|---|
| 200 - 480 | € 0,114 | € 2,28 |
| 500 - 980 | € 0,102 | € 2,04 |
| 1000 - 1980 | € 0,088 | € 1,76 |
| 2000+ | € 0,087 | € 1,74 |
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
VishayChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
630 mA
Maximum Drain Source Voltage
20 V
Package Type
SC-75
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
1.1 Ω
Channel Mode
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage
0.4V
Maximum Power Dissipation
240 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-8 V, +8 V
Typical Gate Charge @ Vgs
1.3 nC @ 8 V
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Number of Elements per Chip
1
Length
1.68mm
Width
0.86mm
Transistor Material
Si
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Height
0.8mm
Tuotetiedot
N-Channel MOSFET, 8V to 25V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.