Vishay TrenchFET P-Channel MOSFET, 8 A, 12 V, 6-Pin TSOP-6 SI3477DV-T1-GE3

RS tilauskoodi: 812-3160PTuotemerkki: VishayValmistajan osanumero.: SI3477DV-T1-GE3
brand-logo
Näytä kaikki MOSFETs tuotteet

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

Vishay

Channel Type

P

Maximum Continuous Drain Current

8 A

Maximum Drain Source Voltage

12 V

Series

TrenchFET

Package Type

TSOP-6

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

6

Maximum Drain Source Resistance

33 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Gate Threshold Voltage

0.4V

Maximum Power Dissipation

4.2 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-10 V, +10 V

Width

1.7mm

Transistor Material

Si

Number of Elements per Chip

1

Length

3.1mm

Typical Gate Charge @ Vgs

58 nC @ 10 V

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Height

1mm

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Alkuperämaa

China

Tuotetiedot

P-Channel MOSFET, TrenchFET Gen III, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

€ 10,24

€ 0,512 kpl (toimitus kelassa) (ilman ALV)

€ 12,85

€ 0,643 kpl (toimitus kelassa) (Sis ALV:n)

Vishay TrenchFET P-Channel MOSFET, 8 A, 12 V, 6-Pin TSOP-6 SI3477DV-T1-GE3
Valitse pakkaustyyppi

€ 10,24

€ 0,512 kpl (toimitus kelassa) (ilman ALV)

€ 12,85

€ 0,643 kpl (toimitus kelassa) (Sis ALV:n)

Vishay TrenchFET P-Channel MOSFET, 8 A, 12 V, 6-Pin TSOP-6 SI3477DV-T1-GE3

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

Valitse pakkaustyyppi

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

Vishay

Channel Type

P

Maximum Continuous Drain Current

8 A

Maximum Drain Source Voltage

12 V

Series

TrenchFET

Package Type

TSOP-6

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

6

Maximum Drain Source Resistance

33 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Gate Threshold Voltage

0.4V

Maximum Power Dissipation

4.2 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-10 V, +10 V

Width

1.7mm

Transistor Material

Si

Number of Elements per Chip

1

Length

3.1mm

Typical Gate Charge @ Vgs

58 nC @ 10 V

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Height

1mm

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Alkuperämaa

China

Tuotetiedot

P-Channel MOSFET, TrenchFET Gen III, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja