Vishay Dual N/P-Channel MOSFET, 4.3 A, 6 A, 30 V, 8-Pin SOIC SI4532CDY-T1-GE3
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
VishayChannel Type
N, P
Maximum Continuous Drain Current
4.3 A, 6 A
Maximum Drain Source Voltage
30 V
Package Type
SOIC
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
8
Maximum Drain Source Resistance
65 mΩ, 140 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage
1V
Maximum Power Dissipation
2.78 W
Transistor Configuration
Isolated
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Typical Gate Charge @ Vgs
6 nC @ 10 V, 7.8 nC @ 10 V
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Length
5mm
Width
4mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
2
Height
1.5mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Tuotetiedot
Dual N/P-Channel MOSFET, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
€ 11,72
€ 0,586 1 kpl (20 kpl/pakkaus) (ilman ALV)
€ 14,71
€ 0,735 1 kpl (20 kpl/pakkaus) (Sis ALV:n)
20
€ 11,72
€ 0,586 1 kpl (20 kpl/pakkaus) (ilman ALV)
€ 14,71
€ 0,735 1 kpl (20 kpl/pakkaus) (Sis ALV:n)
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
20
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
| Määrä | Yksikköhinta | Per Pakkaus |
|---|---|---|
| 20 - 180 | € 0,586 | € 11,72 |
| 200 - 480 | € 0,498 | € 9,96 |
| 500 - 980 | € 0,468 | € 9,36 |
| 1000 - 1980 | € 0,44 | € 8,80 |
| 2000+ | € 0,41 | € 8,20 |
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
VishayChannel Type
N, P
Maximum Continuous Drain Current
4.3 A, 6 A
Maximum Drain Source Voltage
30 V
Package Type
SOIC
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
8
Maximum Drain Source Resistance
65 mΩ, 140 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage
1V
Maximum Power Dissipation
2.78 W
Transistor Configuration
Isolated
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Typical Gate Charge @ Vgs
6 nC @ 10 V, 7.8 nC @ 10 V
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Length
5mm
Width
4mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
2
Height
1.5mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Tuotetiedot
Dual N/P-Channel MOSFET, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.