Vishay Silicon P-Channel MOSFET, 59.2 A, 40 V, 8-Pin 1212-8S SISS4409DN-T1-GE3
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
VishayChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
59.2 A
Maximum Drain Source Voltage
40 V
Package Type
1212-8S
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
8
Channel Mode
Enhancement
Number of Elements per Chip
1
Transistor Material
Silicon
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
€ 1 944,00
€ 0,648 1 kpl (3000 kpl/kela) (ilman ALV)
€ 2 439,72
€ 0,813 1 kpl (3000 kpl/kela) (Sis ALV:n)
3000
€ 1 944,00
€ 0,648 1 kpl (3000 kpl/kela) (ilman ALV)
€ 2 439,72
€ 0,813 1 kpl (3000 kpl/kela) (Sis ALV:n)
3000
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Tarkista myöhemmin uudelleen.
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
VishayChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
59.2 A
Maximum Drain Source Voltage
40 V
Package Type
1212-8S
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
8
Channel Mode
Enhancement
Number of Elements per Chip
1
Transistor Material
Silicon
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.