Vishay 3 N/P-Channel MOSFET, 30 A, 30 A, 20 A, 200 (Channel 3) V, 40 (Channel 1) V, 40 (Channel 2) V, 10-Pin Triple Die
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
VishayChannel Type
N, P
Maximum Continuous Drain Current
30 A, 30 A, 20 A
Maximum Drain Source Voltage
200 (Channel 3) V, 40 (Channel 1) V, 40 (Channel 2) V
Package Type
Triple Die
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
10
Maximum Drain Source Resistance
0.0135 (Channel 2) Ω, 0.048 (Channel 1) Ω, 0.06 (Channel 3) Ω
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2.5 (Channel 1) V, 2.5 (Channel 2) V, 3.5 (Channel 3) V
Minimum Gate Threshold Voltage
1.5 (Channel 1) V, 1.5 (Channel 2) V, 2.5 (Channel 3) V
Maximum Power Dissipation
48 W, 48 W, 60 W
Transistor Configuration
Common Drain
Maximum Gate Source Voltage
20 V
Number of Elements per Chip
3
Typical Gate Charge @ Vgs
14 nC @ 100 V (Channel 3), 23 nC @ 20 V (Channel 2), 30.2 nC @ 20 V (Channel 1)
Maximum Operating Temperature
+175 °C
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Automotive Standard
AEC-Q101
Alkuperämaa
China
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
€ 85,00
€ 3,40 kpl (toimitus kelassa) (ilman ALV)
€ 106,68
€ 4,267 kpl (toimitus kelassa) (Sis ALV:n)
Tuotantopakkaus (Kela)
25
€ 85,00
€ 3,40 kpl (toimitus kelassa) (ilman ALV)
€ 106,68
€ 4,267 kpl (toimitus kelassa) (Sis ALV:n)
Tuotantopakkaus (Kela)
25
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Tarkista myöhemmin uudelleen.
| Määrä | Yksikköhinta | Per Kela |
|---|---|---|
| 25 - 45 | € 3,40 | € 17,00 |
| 50 - 120 | € 3,20 | € 16,00 |
| 125 - 245 | € 3,00 | € 15,00 |
| 250+ | € 2,80 | € 14,00 |
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
VishayChannel Type
N, P
Maximum Continuous Drain Current
30 A, 30 A, 20 A
Maximum Drain Source Voltage
200 (Channel 3) V, 40 (Channel 1) V, 40 (Channel 2) V
Package Type
Triple Die
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
10
Maximum Drain Source Resistance
0.0135 (Channel 2) Ω, 0.048 (Channel 1) Ω, 0.06 (Channel 3) Ω
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2.5 (Channel 1) V, 2.5 (Channel 2) V, 3.5 (Channel 3) V
Minimum Gate Threshold Voltage
1.5 (Channel 1) V, 1.5 (Channel 2) V, 2.5 (Channel 3) V
Maximum Power Dissipation
48 W, 48 W, 60 W
Transistor Configuration
Common Drain
Maximum Gate Source Voltage
20 V
Number of Elements per Chip
3
Typical Gate Charge @ Vgs
14 nC @ 100 V (Channel 3), 23 nC @ 20 V (Channel 2), 30.2 nC @ 20 V (Channel 1)
Maximum Operating Temperature
+175 °C
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Automotive Standard
AEC-Q101
Alkuperämaa
China
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.