ROHM N-Channel MOSFET, 4 A, 45 V, 6-Pin TSMT RVQ040N05TR
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
ROHMChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
4 A
Maximum Drain Source Voltage
45 V
Package Type
TSMT
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
6
Maximum Drain Source Resistance
100 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2.5V
Maximum Power Dissipation
1.25 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-21 V, +21 V
Typical Gate Charge @ Vgs
10 nC @ 10 V
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Width
1.8mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Length
3mm
Height
0.95mm
Alkuperämaa
Thailand
Tuotetiedot
N-Channel MOSFET Transistors, ROHM
MOSFET Transistors, ROHM Semiconductor
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
€ 9,76
€ 0,651 1 kpl (15 kpl/pakkaus) (ilman ALV)
€ 12,25
€ 0,817 1 kpl (15 kpl/pakkaus) (Sis ALV:n)
15
€ 9,76
€ 0,651 1 kpl (15 kpl/pakkaus) (ilman ALV)
€ 12,25
€ 0,817 1 kpl (15 kpl/pakkaus) (Sis ALV:n)
15
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Tarkista myöhemmin uudelleen.
| Määrä | Yksikköhinta | Per Pakkaus |
|---|---|---|
| 15 - 360 | € 0,651 | € 9,76 |
| 375 - 735 | € 0,57 | € 8,55 |
| 750 - 1485 | € 0,556 | € 8,34 |
| 1500 - 2985 | € 0,54 | € 8,10 |
| 3000+ | € 0,53 | € 7,95 |
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
ROHMChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
4 A
Maximum Drain Source Voltage
45 V
Package Type
TSMT
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
6
Maximum Drain Source Resistance
100 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2.5V
Maximum Power Dissipation
1.25 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-21 V, +21 V
Typical Gate Charge @ Vgs
10 nC @ 10 V
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Width
1.8mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Length
3mm
Height
0.95mm
Alkuperämaa
Thailand
Tuotetiedot
N-Channel MOSFET Transistors, ROHM
MOSFET Transistors, ROHM Semiconductor
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.