STMicroelectronics BUT30V NPN Transistor, 100 A, 125 V, 4-Pin ISOTOP

RS tilauskoodi: 166-0891Tuotemerkki: STMicroelectronicsValmistajan osanumero.: BUT30V
brand-logo

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Transistor Type

NPN

Maximum DC Collector Current

100 A

Maximum Collector Emitter Voltage

125 V

Package Type

ISOTOP

Mounting Type

Panel Mount

Maximum Power Dissipation

250 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Collector Base Voltage

200 V

Maximum Emitter Base Voltage

7 V

Pin Count

4

Number of Elements per Chip

1

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Dimensions

9.1 x 38.2 x 25.5mm

Tuotetiedot

NPN Power Transistors, STMicroelectronics

Bipolar Transistors, STMicroelectronics

A broad range of NPN and PNP Bipolar Transistors from STMicroelectronics including General Purpose, Darlington, Power and High-Voltage devices in both SMT and Through-hole packages.

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

€ 5 025,00

€ 67,00 1 kpl (75 kpl/putki) (ilman ALV)

€ 6 306,38

€ 84,085 1 kpl (75 kpl/putki) (Sis ALV:n)

STMicroelectronics BUT30V NPN Transistor, 100 A, 125 V, 4-Pin ISOTOP

€ 5 025,00

€ 67,00 1 kpl (75 kpl/putki) (ilman ALV)

€ 6 306,38

€ 84,085 1 kpl (75 kpl/putki) (Sis ALV:n)

STMicroelectronics BUT30V NPN Transistor, 100 A, 125 V, 4-Pin ISOTOP
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

Tarkista myöhemmin uudelleen.

MääräYksikköhintaPer Putki
75 - 75€ 67,00€ 5 025,00
150 - 150€ 59,50€ 4 462,50
225 - 450€ 55,50€ 4 162,50
525+€ 51,50€ 3 862,50

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Transistor Type

NPN

Maximum DC Collector Current

100 A

Maximum Collector Emitter Voltage

125 V

Package Type

ISOTOP

Mounting Type

Panel Mount

Maximum Power Dissipation

250 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Collector Base Voltage

200 V

Maximum Emitter Base Voltage

7 V

Pin Count

4

Number of Elements per Chip

1

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Dimensions

9.1 x 38.2 x 25.5mm

Tuotetiedot

NPN Power Transistors, STMicroelectronics

Bipolar Transistors, STMicroelectronics

A broad range of NPN and PNP Bipolar Transistors from STMicroelectronics including General Purpose, Darlington, Power and High-Voltage devices in both SMT and Through-hole packages.

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja