STMicroelectronics STripFET N-Channel MOSFET, 75 A, 200 V, 3-Pin TO-247 STW75NF20
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
STMicroelectronicsChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
75 A
Maximum Drain Source Voltage
200 V
Package Type
TO-247
Series
STripFET
Mounting Type
Through Hole
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
34 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
190 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Transistor Material
Si
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Typical Gate Charge @ Vgs
84 nC @ 10 V
Number of Elements per Chip
1
Width
5.15mm
Length
15.75mm
Minimum Operating Temperature
-50 °C
Height
20.15mm
Tuotetiedot
N-Channel STripFET™, STMicroelectronics
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
€ 102,00
€ 3,40 1 kpl (30 kpl/putki) (ilman ALV)
€ 128,01
€ 4,267 1 kpl (30 kpl/putki) (Sis ALV:n)
30
€ 102,00
€ 3,40 1 kpl (30 kpl/putki) (ilman ALV)
€ 128,01
€ 4,267 1 kpl (30 kpl/putki) (Sis ALV:n)
30
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Tarkista myöhemmin uudelleen.
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
STMicroelectronicsChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
75 A
Maximum Drain Source Voltage
200 V
Package Type
TO-247
Series
STripFET
Mounting Type
Through Hole
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
34 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
190 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Transistor Material
Si
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Typical Gate Charge @ Vgs
84 nC @ 10 V
Number of Elements per Chip
1
Width
5.15mm
Length
15.75mm
Minimum Operating Temperature
-50 °C
Height
20.15mm
Tuotetiedot
N-Channel STripFET™, STMicroelectronics
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.