Diodes Inc N-Channel MOSFET, 115 mA, 60 V, 3-Pin SOT-23 2N7002-7-F
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
DiodesZetexChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
115 mA
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Package Type
SOT-23
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
13.5 Ω
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2.5V
Maximum Power Dissipation
300 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Number of Elements per Chip
1
Width
1.4mm
Length
3mm
Transistor Material
Si
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Height
1.1mm
Alkuperämaa
China
Tuotetiedot
N-Channel MOSFET, 40V to 90V, Diodes Inc
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
€ 81,00
€ 0,027 1 kpl (3000 kpl/kela) (ilman ALV)
€ 101,66
€ 0,034 1 kpl (3000 kpl/kela) (Sis ALV:n)
3000
€ 81,00
€ 0,027 1 kpl (3000 kpl/kela) (ilman ALV)
€ 101,66
€ 0,034 1 kpl (3000 kpl/kela) (Sis ALV:n)
3000
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Tarkista myöhemmin uudelleen.
| Määrä | Yksikköhinta | Per Kela |
|---|---|---|
| 3000 - 3000 | € 0,027 | € 81,00 |
| 6000 - 12000 | € 0,027 | € 81,00 |
| 15000 - 27000 | € 0,024 | € 72,00 |
| 30000+ | € 0,023 | € 69,00 |
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
DiodesZetexChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
115 mA
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Package Type
SOT-23
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
13.5 Ω
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2.5V
Maximum Power Dissipation
300 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Number of Elements per Chip
1
Width
1.4mm
Length
3mm
Transistor Material
Si
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Height
1.1mm
Alkuperämaa
China
Tuotetiedot
N-Channel MOSFET, 40V to 90V, Diodes Inc
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.