Diodes Inc N-Channel MOSFET, 1.6 A, 100 V, 3-Pin SOT-23 DMN10H220L-7
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
DiodesZetexChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
1.6 A
Maximum Drain Source Voltage
100 V
Package Type
SOT-23
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
250 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2.5V
Minimum Gate Threshold Voltage
1V
Maximum Power Dissipation
1.3 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-16 V, +16 V
Width
1.4mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Length
3mm
Typical Gate Charge @ Vgs
8.3 nC @ 10 V
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Height
1mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.2V
Tuotetiedot
N-Channel MOSFET, 100V to 950V, Diodes Inc
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
€ 10,50
€ 0,35 1 kpl (30 kpl/pakkaus) (ilman ALV)
€ 13,18
€ 0,439 1 kpl (30 kpl/pakkaus) (Sis ALV:n)
Standardi
30
€ 10,50
€ 0,35 1 kpl (30 kpl/pakkaus) (ilman ALV)
€ 13,18
€ 0,439 1 kpl (30 kpl/pakkaus) (Sis ALV:n)
Standardi
30
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Tarkista myöhemmin uudelleen.
| Määrä | Yksikköhinta | Per Pakkaus |
|---|---|---|
| 30 - 120 | € 0,35 | € 10,50 |
| 150 - 420 | € 0,308 | € 9,24 |
| 450 - 870 | € 0,298 | € 8,94 |
| 900 - 2970 | € 0,292 | € 8,76 |
| 3000+ | € 0,284 | € 8,52 |
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
DiodesZetexChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
1.6 A
Maximum Drain Source Voltage
100 V
Package Type
SOT-23
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
250 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2.5V
Minimum Gate Threshold Voltage
1V
Maximum Power Dissipation
1.3 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-16 V, +16 V
Width
1.4mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Length
3mm
Typical Gate Charge @ Vgs
8.3 nC @ 10 V
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Height
1mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.2V
Tuotetiedot
N-Channel MOSFET, 100V to 950V, Diodes Inc
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.